Транзистор в772 аналог отечественный

Транзистор в772 аналог отечественный

Транзисторы B772R, B772O, B772Y, B772GR

Т ранзисторы B772A — кремниевые, высокочастотные усилительные, структуры — p-n-p.
Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей УМЗЧ, преобразователях напряжения, маломощных приводах исполнительных устройств.
Корпус пластиковый TO-126, либо SOT-89. Маркировка буквенно — цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 1,25 Вт для транзисторов в корпусе TO-126 и 0,5 Вт в корпусе SOT-89.
С радиатором(корпус TO-126) — 12,5Вт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером — 50 МГц;

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер30в.

Максимальное напряжение коллектор — база40в.

Максимальное напряжение эмиттер — база5в.

Коэффициент передачи тока у транзисторов в корпусе TO-126 (datasheet STANSON TECHNOLOGY):
У транзисторов B772R — от 110 до 220.
У транзисторов B772O — от 200 до 450.
У транзисторов B772Y — от 420 до 800.

Коэффициент передачи тока у транзисторов в корпусе SOT-89 (datasheet JIANGSU CHANGJIANG):
У транзисторов B772R — от 60 до 120.
У транзисторов B772O — от 100 до 200.
У транзисторов B772Y — от 160 до 320.
У транзисторов B772GR — от 200 до 400.

Максимальный постоянный ток коллектора3А, пульсирующий — 5А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 2А, базы 0,1А — не выше 0,5в.

Обратный ток коллектор — эмиттер при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-эмиттер 10в. не более 0,1 мА.

Обратный ток эмиттера — база при напряжении эмиттер-база 5в не более — 0,1 мА.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".

Читайте также:  Как делать скрин на компьютере виндовс 10

Транзистор 2SB772 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР —> транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС

Технические данные (datasheet)

Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В IК, МАКС
мА PК, МАКС
мВт h21Э fгр
МГц Изготовитель мин. макс. IК
мА UКЭ
В Название (полное) Название (сокращённое) 2SB772 30/40 3000 1000 60 400 1000 2 80 NEC Electronics Inc NEC Elecs NEC Corp JA NEC Corp

Цоколёвка

Тип Номера выводов 1 2 3 3 вывода B C E

UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

Автор Григорий Сиренко задал вопрос в разделе Техника

транзистор B772 C3B, какие наши аналоги есть? и получил лучший ответ

Ответ от Виктор Викторов[активный]
Это биполярный транзистор 2SB772, проводимость — p-n-p, напряжение 40В, 3А, 10Вт. По этим параметрам можно подобрать замену.
Заменять транзистор его аналогом можно в крайнем случае, учитывая конкретную схему его применения. Заменить можно на: 2N4900; KT814Г; BD786; MJE170; 2SD882.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector